原帖由 wing 於 2007-3-25 22:50 發表
想問下各位, R旦個幾個數字點解...
eg. CL 4-4-4-12
CL 5-5-5-15
同埋點解個ram 速越快, 個CL 值會越高...
Thx ....
CL 即是 CAS Latency，簡寫才是 CL，其中 CAS 是指 Column Address Strobe Latency。
RCD 是 RAS to CAS Delay
RAS Precharge 是 Prechare 所需的時間
RAS 是 Row Address Strobe Latency，Actived to precharge 所需時間，可看成 refresh 所需時間
要解釋呢堆野，要先知道 DRAM 既結構同基本電子常識先得…
實際上要 read 一個 charged cell 只需 CL+RCD 的時間就可…但這些時間都是以多小個 clock 為單位，實際時間要計算才行…
例如︰
CL=4 clocks, Freq = 400Mhz (DDR2-800)，實際 CL 是 4/400Mhz = 10ns
CL=5 clocks, Freq = 333Mhz (DDR2-667)，實際 CL 是 5/333Mhz = 15ns
CL=3 clocks, Freq = 200Mhz (DDR-400)，實際 CL 是 3/200Mhz = 15ns
CL=9 clocks, Freq = 667Mhz (DDR3-1333)，實際 CL 是 9/667Mhz = 13.5ns
CL=3 clocks, Freq = 133Mhz (SD-PC133)，實際 CL 是 3/133Mhz = 22.6ns
從以上例子可見，的確 RAM 越快，CL 越高，但實際上的 Latency 跟本冇增加到，反而越黎越快…
CPU Send 完 Address 後要等粒 RAM Chips 接受到才可真正 Read menory，這個就是一般人所說的 Latency，10-20ns 是 Physics 上的極限，突破這種極限需要更先進的技術、制程、工藝…這幾年都沒什麼大突破，因此仍會守在這段範圍一會。回想下十年前的 EDO RAM 只有 60ns 和 70ns 兩種… |
發表於 2007-3-25 22:50
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發表於 2007-3-25 23:14
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